2011年4月，“TFT-LCD背光用超高亮度LED芯片”項目獲得2010年度廈門市科技進步壹等獎。同時，產品“背光用S-23ABMUP LED芯片”獲得2010廈門市優秀新產品獎壹等獎。
為進壹步加快三安光電品牌建設，提高公司影響力，應廈門市政府、廈門市貿易發展局、廈門市商業聯合會邀請，三安光電於10至19至10參加第七屆中國-東盟博覽會。
2010年9月27日，2010三安光電新品推介會暨新聞發布會在深圳凱賓斯基酒店成功舉辦。本次促銷活動在行業內引起了廣泛關註，共有超過120名客戶代表參加。
2010 65438+10月:安徽三安光電有限公司成立。
2009年6月5438+065438+10月:公司“RS-B1超高亮度功率紅色LED芯片”通過新產品專家鑒定，被認定為國內首創，主要性能達到國際水平。
2009年6月165438+10月:我司項目“半導體照明用高亮度、大功率白光LED芯片的開發及產業化”獲得廈門市科學技術獎二等獎。
2009年6月5438+065438+10月65438+3月:我們的電源紅籌通過新產品鑒定。
2009年9月:我公司獲得TS 16949: 2002認證註冊。
2009年8月:我公司承擔的“R&D及半導體照明器件產業化”項目被信息產業部列為2009年信息產業發展基金重點支持項目。
2009年3月:我公司2006年承擔的國家發改委專項項目“功率半導體全彩芯片產業化”通過驗收。
2009年2月12日:我公司主導產品“S-RGB07全彩超高亮度LED芯片”榮獲福建省優秀新產品壹等獎。
5438年6月+2008年2月:天津三安光電有限公司成立。
2008年6月5438+2月8日:我公司承擔的“TFT-LED背光用超高亮度LED芯片產業化”項目被國家發改委列入2008年第四批產業技術研發資金高技術產業發展項目計劃。
2008年6月5438+065438+10月:我公司承擔的“LCD背光用超高亮度半導體紅色發光二極管(LED)芯片R&D及產業化”項目被信息產業部列入2008年信息產業發展基金重點支持項目。
5438年6月+2008年10月:公司技術中心榮獲“國家級企業技術中心”稱號。
2008年8月:獲得ISO14001:2004+0:2004環境管理體系認證。
2008年7月:公司在國內a股市場成功上市。
2008年6月5438+10月:我公司被廈門市人民政府授予“2007年度廈門市十大工業企業”榮譽稱號。
2007年6月5438+065438+10月:我公司產品“S-RGB 07全彩超高亮度(紅、橙、黃、藍、綠)LED芯片”通過廈門市經發局組織的新產品新技術專家鑒定，鑒定結論為“基板轉移紅光功率LED”為國內首創，填補了國內空白。
2007年6月5438+10月:我公司被國家發改委授予“國家高技術產業化示範項目”稱號。
2007年3月:日本學者Kazuhiro Okawa博士受聘為我們的技術顧問。
2006年6月5438+2月:公司承擔的項目“100lm/W功率白光LED制造技術”被科技部確定為國家高技術研究發展計劃(863計劃)。
165438+2006年10月:公司承擔的“全彩色功率半導體芯片產業化”項目被國家發改委列為“2006年信息產業企業技術進步和產業升級國家專項”。
2006年7月:“功率高亮度LED芯片及倒裝芯片技術”項目通過專家鑒定，鑒定結果為產業化技術指標達到國內領先水平。
2006年5月:公司被人事部正式批準成立博士後研究中心，開展博士後研究工作。
2006年4月:“GaN基LED外延片及芯片的開發與產業化”項目通過專家鑒定。鑒定結果表明，產業化規模達到國內最大，質量穩定可靠，技術指標達到國內領先水平。
2005年6月5438+2月:十五國家科技攻關重大項目“半導體照明產業化技術開發”通過科技部組織的專家驗收。
2005年6月5438+065438+10月:公司項目“GaN基發光二極管外延片及器件的制備”被認定為廈門市高新技術成果轉化項目。
2005年6月:公司“半導體照明用高亮度大功率白光二極管芯片的開發及產業化”被科技部列入2005年國家火炬計劃。
2005年3月:公司“半導體照明用高亮度大功率白光二極管芯片開發及產業化”被列入2005年福建省十大重點投資項目。
2004年6月165438+10月:“半導體照明用高亮度、大功率白光LED芯片開發及產業化”項目被信息產業部列為2005年信息產業基金重點支持項目。
2004年9月:公司榮任中國光電器件協會副理事長。
2004年8月:公司技術中心被福建省經貿委授予“省級企業技術中心”稱號。
2004年8月:多結復合太陽能電池通過中國航空科技集團上海空間動力研究所的測試和應用，填補了國內空白。
2004年2月:公司被認定為廈門市重點高新技術企業。
5438年6月+2003年10月:全國半導體照明產業聯盟授予公司“半導體照明工程龍頭企業”稱號。
2003年6月5日+10月:在第十四屆全國發明展上，公司獲得發明銀獎，GaN LED芯片N電極制作和LED外延結構制作銅獎。
2003年9月:公司開發出具有中國自主知識產權的LED芯片，打破了過去LED芯片全部進口的歷史。
2003年9月:公司技術中心被授予“市級企業技術中心”稱號。
2003年4月:公司承擔的“GaN基發光二極管外延片及器件制備”項目被國家發改委列入2003年光電子及新型元器件高技術產業化專項示範項目。
2003年2月:獲得ISO9001:2000: 2000質量管理體系認證。
2003年6月5438+10月:公司通過全彩超高亮度LED芯片科技成果鑒定，成為國內首家實現全彩超高亮度LED芯片的廠商。
2002年9月:公司首款外延片成功發布。
5438年6月+2000年2月:公司被認定為廈門市高新技術企業。
三安光電40億項目建設過程
2013月15日，三安光電發布公告，決定終止公司公開發行a股股票。
公告稱，因市場環境變化，結合公司情況，經與保薦機構平安證券協商壹致，決定終止公司公開發行a股股票，並向證監會申請撤回公司公開發行a股股票的申請文件。
但在公告中，三安光電並未提及本次發行計劃的具體內容，更未提及本次募資計劃的投資項目。
中國產業洞察網數據顯示，2011年5月6日，三安光電公告擬公開發行不超過210萬股a股，募集資金總額不超過80億元(含發行費用)，全部用於安徽三安光電股份有限公司蕪湖光電產業化(二期)項目和安徽三安光電股份有限公司LED應用產業化項目，總投資約96。其中蕪湖二期50億元。
三個月後，三安光電再次公告稱，根據證券監管部門反饋意見，上述增發總金額縮減至不超過63億元，擬投入蕪湖二期的募集資金也縮水至40億元。但增發方案並未取得實質性進展。
擴容效果還有待市場檢驗。
與兩年前相比，三安光電所在的LED上遊產業越來越過剩，利潤在下降。有業內人士猜測，三安光電可能已經主動放棄募集資金，放緩新項目上馬。
不過，王慶在采訪中否認了上述猜測，稱市場還有很大空間。不過，對於蕪湖二期停飛對公司的影響，王慶並未正面回答，稱公司業績會在財報中有所體現。
三安光電2012年報顯示，公司2012年度實現營收33.63億元，比上年大幅增長92.48%。凈利潤865，438+0億元，比上年下降65，438+03.47%。此外，其主營業務LED的毛利率為25.31%，同比下降14.36%。
其年報顯示，安徽三安光電股份有限公司蕪湖光電產業化(壹期)項目(以下簡稱蕪湖壹期)采購的MOCVD設備已投產。雖然取得了壹定的經濟效益，但由於2012年大部分設備逐步投產，等待產能充分釋放，規模效應充分發揮，公司業績將逐步體現，因此達到滿產還需要較長時間。三安光電2013壹季度凈利潤同比下降18.77%。
趙飛表示，三安光電在國內LED外延片領域有相當的實力，但現在出現產能過剩，盲目擴張可能隱藏風險。
前述知情人士表示，蕪湖壹期逐步釋放的產能將進壹步增加對三安光電未來業績的貢獻。嘗到甜頭後，三安光電對蕪湖二期的渴望也在情理之中。