ALD設備非常適合從研發階段的薄膜沈積擴大到大規模工業生產。與常見的CVD或PECVD原理不同，ALD可以沈積高深寬比的超薄膜。
ALD設備通過氣路和腔體結構的設計以及相應的工藝配方，成功實現了不同薄膜沈積厚度的可控性。該設備可以升級更多的前驅體源和氣體路徑、高真空泵、原位清洗和其他選項；特殊設計的進風結構解決了傳統腔體的顆粒問題，使其具有良好的潔凈度，提高了產品的電性能和良率；設備系統易於安裝和維護，大大提高了安裝周期。
ALD的循環步驟
1.鋁源註入:加熱的三甲基鋁(TMA)蒸汽作為金屬鋁源註入，其中TMA包含壹個鋁原子+三個前體原子。
2.氣體清洗1:使用惰性氣體將過量的TMA蒸汽和反應副產物甲烷帶出反應室。
3.氧源註入:水蒸氣脈沖進入反應室和被TMA前體吸附的表面，繼續表面化學反應。
4.氣體清潔2:清潔氣體將多余的水蒸氣和反應副產物甲烷帶出反應室。
上述過程如此往復，每壹個循環都要塗覆壹層原子，直到塗層達到目標厚度。用ALD設備鍍膜可以實現三個優點，即三維形狀、均勻性(致密無孔)和原子級的厚度控制。